买卖IC网 >> 产品目录 >> BSZ018NE2LSIXT MOSFET OptiMOS Power MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSZ018NE2LSIXT

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET OptiMOS Power MOSFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET OptiMOS Power MOSFET
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制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 25 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 40 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 1.8 mOhms at 4.5 V
配置 Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PG-TSDSON-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 BSZ018NE2LSIXT
BSZ019N03LS
BSZ023N04LS
BSZ023N04LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1
BSZ033N03LSCG
供应商
公司名
电话
深圳市瑞智芯科技有限公司 0755-83089975 李先生
深圳市深美诺电子科技有限公司 82525918 李燕兵
深圳市柏新电子科技有限公司 0755-88377780 林小姐//方先生
  • BSZ018NE2LSIXT 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    3,710 1.378 5112.38
    5,000 1.328 6640
    10,000 1.276 12760